按时间归档：2024年11月12日
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ROHM开发出支持更高电压xEV系统的SiC肖特基势垒二极管
采用自主设计封装，绝缘电阻显著提高！ ~与普通产品相比，可确保约1.3倍的爬电距离。即使是表贴型也无需进行树脂灌封绝缘处理~ 全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）开发…
采用自主设计封装，绝缘电阻显著提高！ ~与普通产品相比，可确保约1.3倍的爬电距离。即使是表贴型也无需进行树脂灌封绝缘处理~ 全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）开发…