10月21日，美光总裁兼首席技术及产品官斯科特·德博尔接受《日经亚洲》采访，一句话引爆存储圈：评估了20多年后，美光认为4F²“不在路线图上”，将继续押注6F²结构与下一代3D DRAM。
而就在此前，长鑫存储、三星、SK海力士刚集体“官宣”。
10月9日，长鑫科技总裁曹堪宇在第四届集成芯片和芯粒大会上公布自研4F²架构与垂直环绕栅（VSG）晶体管进展，称预计年底推出面向服务器的DDR5 RDIMM。10月14日，首尔SEDEX 2026上，三星DS部门CTO宋在爀被追问“是否也在开发4F²”，回答干脆利落：“是的。”
被逼到墙角的平面微缩：为何非要换架构
过去几十年，DRAM靠缩小特征尺寸提密度，如今这条路已逼近物理极限。
业界的共识解是改变”单元面积系数”：从主流6F²单元（3F×2F矩形）走向4F²单元（2F×2F正方形），单元面积理论上可缩小约33%。三星ISSCC 2026论文显示，4F²加混合键合方案在相同设计规则下每片晶圆裸片数提升超20%；TrendForce等机构对密度提升的估算达30%–50%。
4F²与3D DRAM并非二选一：它是必经台阶
关键分歧在于，4F²与3D DRAM不是两条路，而是先后手。
业界共识的演进路径是：6F²→4F²→3D DRAM。4F²被普遍视为平面微缩的最后一站，也是通往3D DRAM的必经台阶——垂直沟道晶体管（三星称VCT、SK海力士称VG、长鑫称VSG）、存储阵列与外围电路分离制造（PUC）、晶圆级混合键合，这些正是3D DRAM的底座，”把VCT结构堆叠起来即构成3D DRAM的基础”。
三星计划将4F²与VCT连续用于10a、10b、10c三代，到10d才转向3D堆叠；SK海力士CTO在2025年VLSI上把4F²垂直栅平台与3D DRAM并列为两大支柱。
美光的表态则是跳过4F²、直扑3D DRAM。德博尔称“基本物理学的极限最终将引导内存芯片设计走向3D DRAM，而不是4F²”。两派路线殊途同归，但美光明显想”抄近道”。
三星、SK海力士、长鑫都在跑，美光为何按下暂停
4F²并非新生事物，三星、SK海力士、长鑫存储都已投入多年，本轮只是从研发走向产品。
三星早在2010年代前后展示过原型，2025年12月IEDM发布氧化物沟道（IGZO→IGO）方案，2026年2月ISSCC发表可工作的16Gb 4F²芯片，4月韩媒报道10a工艺已产出可工作裸片。
SK海力士2025年6月由CTO车善勇亲自发布4F²垂直栅（VG）平台与3D DRAM路线图，2026年3月设立专门VG技术开发组织，首代产品据报落在10b节点。
长鑫存储自2016年成立起即研究该方向，公开专利族超300件，自研VSG晶体管以垂直包围沟道实现更强栅控。
美光CTO说，他们也研究了约二十年。研究二十年却因自身路线取舍暂不采用，与”这条路没有价值”，是两个命题。
技术难题正在被逐项攻克
漂浮体效应、位线干扰——4F²的工程难题从未被掩饰，反而被逐届顶会正面处理。
三星2025年12月IEDM以氧化物半导体沟道替代硅沟道，解决先做晶体管后做电容的工艺顺序难题；SK海力士2026年6月VLSI发表位线屏蔽与共享背栅结构，显著降低读取失败率，还将在12月IEDM发表“无电容4F²“设计；长鑫的优化涵盖字线金属化、位线成型与结激活，着眼性能功耗比。
股价回调之下：美光还有”历史前科”
美光表态时点微妙。其股价自6月25日创下1213.56美元历史收盘高点后持续回落，10月16日跌至878.84美元，回撤约25%–28%；而基本面处于历史最好水平——2026财年四季度营收542.3亿美元、调整后每股收益33.42美元、毛利率约87%。多家机构将回调原因之一归为“中国厂商在服务器DRAM的进展重新引发定价与竞争担忧”。
历史也有相似一幕：2020–2021年三星、SK海力士相继量产EUV DRAM时，美光公开表示无意采用，理由是以多重图形曝光可达到同样效果。但同期美光在2021年7月上修资本支出至95亿美元，含向ASML订购EUV系统的预付款，2024年在广岛工厂试产1γ制程EUV，2025年量产，成为三大原厂最晚导入EUV的一家。
“先否定、再肯定”，是行业里再熟悉不过的剧本。美光这记“4F²不在路线图上”，是真技术判断，还是给对手留的一手烟雾弹？时间会给出答案。
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